三星完成英伟达HBM3e内存验证 合作关系稳固

7月4日下午，韩国媒体Hankyung的一则最新动态指出，针对先前流传的关于三星电子未能通过英伟达HBM3e（高带宽内存）质量测试的传闻，三星方面已经公开回应，坚称这一说法并不符合事实。他们强调正在进行严格的品质评估过程。

据NewDaily消息，三星电子近日成功完成了对英伟达HBM3e内存芯片的质量控制测试，达到了产品准备批准（PRA）标准。这一成就是在三星派遣其专门负责HBM内存研发的高级管理人员赴美进行深入合作与技术交流后取得的，整个过程历时一个多月。

早些时候，今年3月份，英伟达首席执行官黄仁勋曾透露，他们已经开始对三星的HBM内存芯片进行验证。然而，5月份的报道曾提及三星的产品在发热和功耗控制方面存在问题，导致其未能通过英伟达的初步测试。然而，黄仁勋在2024年的台北国际电脑展上明确否认了这一说法，表示三星的HBM内存仍在英伟达的认证进程中。

业界观察者认为，三星急切希望与英伟达建立稳定的HBM供应关系，因为通过测试标志着其产品有可能在下半年实现显著的增长。这一积极进展反映在了股市上，三星电子的股价在7月4日当天上涨了3.6%，创下了自4月12日以来的新高。同时，作为英伟达主要HBM供应商之一的SK海力士，其股价应声下滑4.7%，这是自6月24日以来的最大单日跌幅。

这一系列事件表明，尽管市场竞争激烈，三星电子与英伟达之间的合作关系对于双方的重要性不言而喻，而三星顺利通过认证将对其业务发展产生重大影响。